PSMN3R8-100BS,118 与 IPB042N10N3 G 区别
| 型号 | PSMN3R8-100BS,118 | IPB042N10N3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PSMN3R8-100BS,118 | A-IPB042N10N3 G |
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | 系列:OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 4.2mΩ@50A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 306W | 214W(Tc) |
| 输出电容 | 660pF | - |
| 栅极电压Vgs | 3V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT404 | PG-TO263-3 |
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 120A | 100A(Tc) |
| 系列 | - | OptiMOS™ |
| 输入电容 | 9900pF | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 6V,10V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 3.9mΩ@10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3.5V @ 150µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 8410pF @ 50V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 117nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 1,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PSMN3R8-100BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 306W 175°C 3V 100V 120A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IPB042N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100V 100A(Tc) ±20V 214W(Tc) 4.2mΩ@50A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TO263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
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IRFS4010TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.7mΩ@106A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK |
暂无价格 | 800 | 对比 |
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IRF100S201 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 441W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.2mΩ@115A,10V N-Channel 100V 192A TO-263AB |
暂无价格 | 10 | 对比 |
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AOB290L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V 20V 140A 500W 3.2mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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FDB035N10A | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
120A(Tc) ±20V 333W(Tc) 3.5m Ohms@75A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 100V 214A 3.5 毫欧 @ 75A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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